Rotating magnetron sputtering apparatus

WO2010131521 Art A1 18. November 2010

Anmelder: Tohoku University, Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010131521
Aktenzeichen: EP10774780
Anmeldetag: 19. März 2010
Veröffentlichung: 18. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/35

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Tohoku University
Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tohoku University

Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.

837 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von