Semiconductor device

WO2010131706 Art A1 18. November 2010

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010131706
Aktenzeichen: EP10774963
Anmeldetag: 13. Mai 2010
Veröffentlichung: 18. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/50H01L23/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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