Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

WO2010132172 Art A2 18. November 2010

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010132172
Aktenzeichen: EP10775232
Anmeldetag: 16. April 2010
Veröffentlichung: 18. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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