Adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a gate dielectric cap layer material prior to gate dielectric stabilization

WO2010132319 Art A1 18. November 2010

Anmelder: GLOBALFOUNDRIES Inc. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010132319
Aktenzeichen: EP10718809
Anmeldetag: 10. Mai 2010
Veröffentlichung: 18. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8234H01L21/3115H01L21/28H01L29/51

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: GLOBALFOUNDRIES Inc.
Land: 🇰🇾 KY

🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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