Schottky diodes containing high barrier metal islands in a low barrier metal layer and methods of forming the same

WO2010132403 Art A1 18. November 2010

Anmelder: Cree, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010132403
Aktenzeichen: EP10719194
Anmeldetag: 11. Mai 2010
Veröffentlichung: 18. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/04H01L29/24H01L29/47H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Cree, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cree

US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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