Method for formation of resist pattern, and developing solution

WO2010134639 Art A1 25. November 2010

Anmelder: Tokuyama Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010134639
Aktenzeichen: EP10777866
Anmeldetag: 20. Mai 2010
Veröffentlichung: 25. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/32G03F7/004G03F7/038G03F7/38H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokuyama Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokuyama

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.

725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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