Multiferroic nanoscale thin film materials, method of its facile syntheses and magnetoelectric coupling at room temperature

WO2010135265 Art A1 25. November 2010

Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation, The Research Foundation of the City University of New York 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010135265
Aktenzeichen: EP10778222
Anmeldetag: 17. Mai 2010
Veröffentlichung: 25. November 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L51/10H01L51/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Northrop Grumman Systems Corporation
The Research Foundation of the City University of New York
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Northrop Grumman

US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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