Semiconductor device

WO2010137125 Art A1 2. Dezember 2010

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010137125
Aktenzeichen: EP09845192
Anmeldetag: 27. Mai 2009
Veröffentlichung: 2. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8246G11C11/15H01L27/105H01L43/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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