Nonvolatile semiconductor storage device, and method for writing thereof

WO2010137169 Art A1 2. Dezember 2010

Anmelder: Fujitsu Semiconductor Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010137169
Aktenzeichen: EP09845235
Anmeldetag: 29. Mai 2009
Veröffentlichung: 2. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/02G11C16/04H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fujitsu Semiconductor Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu Semiconductor

Der Anmelder war die Halbleitersparte des japanischen Fujitsu-Konzerns, deren Geschäft später in das Unternehmen Socionext überging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Datenspeicherung, Elektronik, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2015.

447 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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