Method for fabricating nitride-based semiconductor laser element

WO2010137511 Art A1 2. Dezember 2010

Anmelder: Sanyo Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010137511
Aktenzeichen: EP10780466
Anmeldetag: 20. Mai 2010
Veröffentlichung: 2. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/323H01S5/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sanyo Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanyo Electric

Ehemaliger japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Osaka, seit 2011 Teil des Panasonic-Konzerns. Sanyo war aktiv in Unterhaltungselektronik, Halbleitern, Batterietechnik und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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