Magneto-resistance effect element and random access memory using same
WO2010137679
Art A1
2. Dezember 2010
Anmelder: Hitachi, Ltd., Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010137679
- Aktenzeichen
- EP10780633
- Anmeldetag
- 28. Mai 2010
- Veröffentlichung
- 2. Dezember 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L43/08H01F10/16H01F10/32H01L21/8246H01L27/105H01L29/82
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Hitachi, Ltd.
Tohoku University - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
21.184 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
2.166 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
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