Asymmetrically recessed high-power and high-gain ultra-short gate hemt device

WO2010138364 Art A1 2. Dezember 2010

Anmelder: BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010138364
Aktenzeichen
EP10781022
Anmeldetag
20. Mai 2010
Veröffentlichung
2. Dezember 2010
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/778
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.

US-amerikanische Tochtergesellschaft von BAE Systems für elektronische Verteidigungssysteme, Sensorik und Kommunikationstechnik.

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