Fabrication Of High Aspect Ratio Features in A Glass Layer By Etching

WO2010138404 Art A1 2. Dezember 2010

Anmelder: Zena Technologies, Inc., President and Fellows of Harvard College 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2010138404
Aktenzeichen
EP10781036
Anmeldetag
21. Mai 2010
Veröffentlichung
2. Dezember 2010
Rechtsraum
WO
IPC
C03C15/00C03C25/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Zena Technologies, Inc.
President and Fellows of Harvard College
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Harvard University

US-amerikanische Elite-Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts. Harvard betreibt Forschung und Patentierung in zahlreichen Feldern, insbesondere Biotechnologie, Medizin, Life Sciences und Materialwissenschaften.

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