Semiconductor device and manufacturing method therefor

WO2010140244 Art A1 9. Dezember 2010

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010140244
Aktenzeichen: EP09845529
Anmeldetag: 5. Juni 2009
Veröffentlichung: 9. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L27/092

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von