Capacitors, and methods of forming capacitors

WO2010141178 Art A2 9. Dezember 2010

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010141178
Aktenzeichen: EP10783761
Anmeldetag: 5. Mai 2010
Veröffentlichung: 9. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01G4/008H01G4/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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