Wafer Bonding Technique in Nitride Semiconductors

WO2010141351 Art A2 9. Dezember 2010

Anmelder: Massachusetts Institute of Technology 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010141351
Aktenzeichen: EP10783858
Anmeldetag: 28. Mai 2010
Veröffentlichung: 9. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/20B81B7/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Massachusetts Institute of Technology
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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