Method for growing single crystal of group iii metal nitride and reaction vessel for use in same

WO2010143748 Art A1 16. Dezember 2010

Anmelder: NGK Insulators, Ltd., Mori, Yusuke, Kitaoka, Yasuo, Miyoshi, Naoya 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010143748
Aktenzeichen: EP10786275
Anmeldetag: 10. Juni 2010
Veröffentlichung: 16. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/38C30B9/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NGK Insulators, Ltd.
Mori, Yusuke
Kitaoka, Yasuo
Miyoshi, Naoya
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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