Method for manufacturing ge film-provided soi substrate, and ge film-rpovided soi substrate

WO2010147081 Art A1 23. Dezember 2010

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010147081
Aktenzeichen: EP10789456
Anmeldetag: 14. Juni 2010
Veröffentlichung: 23. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20H01L21/265H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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