Barrier layer, film deposition method, and treating system

WO2010147140 Art A1 23. Dezember 2010

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010147140
Aktenzeichen: EP10789514
Anmeldetag: 16. Juni 2010
Veröffentlichung: 23. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3205C23C16/06H01L21/285H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von