Heterogeneous substrate, nitride-based semiconductor device using same and manufacturing method thereof

WO2010147357 Art A2 23. Dezember 2010

Anmelder: Korea Electronics Technology Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010147357
Aktenzeichen: EP10789684
Anmeldetag: 15. Juni 2010
Veröffentlichung: 23. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/86

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Electronics Technology Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Electronics Technology Institute

Staatlich gefördertes südkoreanisches Forschungsinstitut für Elektronik- und IT-Technologien mit Sitz in Seongnam, das Unternehmen bei Entwicklung und Kommerzialisierung neuer Technologien unterstützt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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