Silicon-rich nitride etch stop layer for vapor hf etching in mems device fabrication
WO2010147839
Art A2
23. Dezember 2010
Anmelder: Analog Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010147839
- Aktenzeichen
- EP10725344
- Anmeldetag
- 10. Juni 2010
- Veröffentlichung
- 23. Dezember 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Analog Devices, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇮🇪
Analog Devices
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit irischer Konzerngesellschaft. Analog Devices entwickelt analoge, gemischte und digitale Signalverarbeitungschips für Industrie-, Kommunikations- und Automobilanwendungen.
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Vertreten von
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