Thin film transistor, method for manufacturing same, active matrix substrate, display panel and display device
WO2010150446
Art A1
29. Dezember 2010
Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2010150446
- Aktenzeichen
- EP10791773
- Anmeldetag
- 6. April 2010
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2010
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786G02F1/1362G09F9/30H01L21/28H01L29/417
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sharp Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sharp
Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.
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Vertreten von
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