Iii-V Semiconductor Structures Including Aluminum-Silicon Nitride Passivation

WO2010151855 Art A2 29. Dezember 2010

Anmelder: Cornell University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2010151855
Aktenzeichen: EP10792778
Anmeldetag: 28. Juni 2010
Veröffentlichung: 29. Dezember 2010
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31H01L29/778H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Cornell University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Cornell University

Die Cornell University ist eine private Universität in Ithaca, New York (USA), die in Forschung und Lehre über zahlreiche natur- und ingenieurwissenschaftliche Fachrichtungen aktiv ist.

1.168 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von