Oxide semiconductor, thin-film transistor array substrate and manufacturing method therefor, and display device

WO2011001715 Art A1 6. Januar 2011

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011001715
Aktenzeichen: EP10793886
Anmeldetag: 10. März 2010
Veröffentlichung: 6. Januar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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