Method for manufacturing iii metal nitride single crystal
WO2011001830
Art A1
6. Januar 2011
Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011001830
- Aktenzeichen
- EP10794000
- Anmeldetag
- 10. Juni 2010
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C30B9/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NGK Insulators, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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