Composite substrate with crystalline seed layer and carrier layer with a coincident cleavage plane

WO2011004211 Art A1 13. Januar 2011

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011004211
Aktenzeichen: EP09786009
Anmeldetag: 8. Juli 2009
Veröffentlichung: 13. Januar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/323H01S5/343

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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