Gallium nitride for liquid crystal electrodes

WO2011005444 Art A1 13. Januar 2011

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011005444
Aktenzeichen: EP10732543
Anmeldetag: 17. Juni 2010
Veröffentlichung: 13. Januar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G02F1/1343H01L29/778H01L21/335

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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