Process for production of laminate having aluminum nitride monocrystal layer, laminate produced by the process, process for production of aluminum nitride monocrystal substrate using the laminate, and aluminum nitride monocrystal substrate
WO2011007762
Art A1
20. Januar 2011
Anmelder: Tokuyama Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011007762
- Aktenzeichen
- EP10799820
- Anmeldetag
- 12. Juli 2010
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/38C23C16/01C23C16/34C30B25/18H01L33/32
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokuyama Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokuyama
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Shunan, gegründet 1918. Produziert unter anderem Spezialchemikalien, Zement und Halbleitermaterialien.
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