Uniform high-k metal gate stacks by adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a metal species prior to gate patterning

WO2011008401 Art A1 20. Januar 2011

Anmelder: Globalfoundries Inc. 🇰🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2011008401
Aktenzeichen
EP10731863
Anmeldetag
17. Juni 2010
Veröffentlichung
20. Januar 2011
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/28H01L21/336H01L29/49H01L29/51H01L21/8238
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Globalfoundries Inc.
Land
🇰🇾 KY
🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

231 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen