Uniform high-k metal gate stacks by adjusting threshold voltage for sophisticated transistors by diffusing a metal species prior to gate patterning
WO2011008401
Art A1
20. Januar 2011
Anmelder: Globalfoundries Inc. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011008401
- Aktenzeichen
- EP10731863
- Anmeldetag
- 17. Juni 2010
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/28H01L21/336H01L29/49H01L29/51H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Globalfoundries Inc.
- Land
- 🇰🇾 KY
🇰🇾
GlobalFoundries
GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.
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