Plasma reactor with rf generator and automatic impedance match with minimum reflected power-seeking control
WO2011008595
Art A2
20. Januar 2011
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011008595
- Aktenzeichen
- EP10800327
- Anmeldetag
- 6. Juli 2010
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H05H1/46H03H7/40
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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