A method of forming a group iii-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (hvpe)

WO2011009093 Art A2 20. Januar 2011

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011009093
Aktenzeichen: EP10800641
Anmeldetag: 16. Juli 2010
Veröffentlichung: 20. Januar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L33/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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