Multiple orientation nanowires with gate stack stressors

WO2011009762 Art A1 27. Januar 2011

Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011009762
Aktenzeichen: EP10731745
Anmeldetag: 13. Juli 2010
Veröffentlichung: 27. Januar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/775H01L27/092H01L29/51H01L21/8238

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: International Business Machines Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

12.044 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von