Micro-scale grid made of single-crystal silicon and method of manufancturing the same
WO2011012036
Art A1
3. Februar 2011
Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011012036
- Aktenzeichen
- EP10803869
- Anmeldetag
- 25. Juni 2010
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- B81B7/02B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences
Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.
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