Leakage Control in Field Effect Transistors Based On an Implantation Species Introduced Locally At The Sti Edge
WO2011013080
Art A1
3. Februar 2011
Anmelder: Globalfoundries Inc. 🇰🇾
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011013080
- Aktenzeichen
- EP10749913
- Anmeldetag
- 28. Juli 2010
- Veröffentlichung
- 3. Februar 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8238H01L21/8239H01L21/8244H01L27/02H01L27/105H01L27/11H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Globalfoundries Inc.
- Land
- 🇰🇾 KY
🇰🇾
GlobalFoundries
GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.
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