Method of producing microstructure of nitride semiconductor and photonic crystal prepared according to the method

WO2011013354 Art A2 3. Februar 2011

Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011013354
Aktenzeichen: EP10742307
Anmeldetag: 27. Juli 2010
Veröffentlichung: 3. Februar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/10H01S5/323H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Canon Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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