Semiconductor device and manufacturing method thereof

WO2011013522 Art A1 3. Februar 2011

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011013522
Aktenzeichen: EP10804268
Anmeldetag: 9. Juli 2010
Veröffentlichung: 3. Februar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G02F1/1368H01L21/28H01L51/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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