Method for selective oxidation, device for selective oxidation, and computer-readable memory medium

WO2011013616 Art A1 3. Februar 2011

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011013616
Aktenzeichen: EP10804362
Anmeldetag: 26. Juli 2010
Veröffentlichung: 3. Februar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/31H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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