Silicon oxide removal apparatus, and inert gas collection facility for silicon monocrystal production apparatus

WO2011016167 Art A1 10. Februar 2011

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011016167
Aktenzeichen: EP10806169
Anmeldetag: 27. Mai 2010
Veröffentlichung: 10. Februar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/06C30B15/00C30B35/00F27B14/08F27D17/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.022 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

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