Epitaxial substrate for semiconductor element, method for manufacturing epitaxial substrate for semiconductor element, and semiconductor element

WO2011016304 Art A1 10. Februar 2011

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011016304
Aktenzeichen: EP10806304
Anmeldetag: 30. Juni 2010
Veröffentlichung: 10. Februar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205C23C16/34H01L21/338H01L29/47H01L29/778H01L29/812H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

3.021 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von