Critical Current Density Enhancement Via Incorporation Of Nanoscale BA2(Y,RE) TAO6 in Rebco Films

WO2011017454 Art A1 10. Februar 2011

Anmelder: UT-Battelle, LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011017454
Aktenzeichen: EP10760804
Anmeldetag: 4. August 2010
Veröffentlichung: 10. Februar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L39/12H01L39/24

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: UT-Battelle, LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 UT-Battelle

UT-Battelle ist der Betreiber des Oak Ridge National Laboratory in den USA, ein Gemeinschaftsunternehmen der University of Tennessee und des Battelle Memorial Institute. Das Patentportfolio deckt breit Halbleiterbauelemente, Mess- und Prüftechnik sowie Metallurgie und Werkstoffe ab. Anmeldungen sind seit 2000 dokumentiert.

498 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von