Method for manufacturing semiconductor device

WO2011018822 Art A1 17. Februar 2011

Anmelder: Fujitsu Microelectronics Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011018822
Aktenzeichen: EP09848242
Anmeldetag: 11. August 2009
Veröffentlichung: 17. Februar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L21/027H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujitsu Microelectronics Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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