Method and apparatus for measuring wafer bias potential

WO2011021160 Art A2 24. Februar 2011

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011021160
Aktenzeichen: EP10809619
Anmeldetag: 18. August 2010
Veröffentlichung: 24. Februar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/205H01L21/66

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von