Semiconductor substrate, method for production of semiconductor layer, method for production of semiconductor substrate, semiconductor element, luminescent element, display panel, electronic element, solar battery element, and electronic device
WO2011021248
Art A1
24. Februar 2011
Anmelder: The University of Tokyo 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011021248
- Aktenzeichen
- EP09848452
- Anmeldetag
- 20. August 2009
- Veröffentlichung
- 24. Februar 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/02H01L21/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- The University of Tokyo
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
University of Tokyo
Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.
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