Semiconductor substrate, method for production of semiconductor layer, method for production of semiconductor substrate, semiconductor element, luminescent element, display panel, electronic element, solar battery element, and electronic device

WO2011021248 Art A1 24. Februar 2011

Anmelder: The University of Tokyo 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2011021248
Aktenzeichen
EP09848452
Anmeldetag
20. August 2009
Veröffentlichung
24. Februar 2011
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/02H01L21/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
The University of Tokyo
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

2.129 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen