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WO2011021531 Art A1 24. Februar 2011

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2011021531
Aktenzeichen
EP10809876
Anmeldetag
10. August 2010
Veröffentlichung
24. Februar 2011
Rechtsraum
WO
IPC
G06F3/041H04B13/00H04M1/00H04M3/493
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Rohm Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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