Thin Film Transistor

WO2011021669 Art A1 24. Februar 2011

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011021669
Aktenzeichen: EP10810010
Anmeldetag: 19. August 2010
Veröffentlichung: 24. Februar 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786C01B33/06C23C14/06H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von