Method for fabricating a physical vapor deposition target
WO2011021800
Art A2
24. Februar 2011
Anmelder: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2011021800
- Aktenzeichen
- EP10810108
- Anmeldetag
- 9. August 2010
- Veröffentlichung
- 24. Februar 2011
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/203H01L31/042
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University
Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der Yonsei University in Südkorea, verwaltet Erfindungen aus der universitären Forschung.
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