Method for manufacturing semiconductor device

WO2011024358 Art A1 3. März 2011

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011024358
Aktenzeichen: EP10811417
Anmeldetag: 10. Juni 2010
Veröffentlichung: 3. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/02H01L21/306H01L21/3063H01L21/322H01L21/76H01L21/762H01L21/8234H01L27/08H01L27/088H01L27/12H01L29/739H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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