3d memory devices decoding and routing systems and methods

WO2011025679 Art A1 3. März 2011

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011025679
Aktenzeichen: EP10745514
Anmeldetag: 13. August 2010
Veröffentlichung: 3. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: G11C5/02G11C5/06H01L25/16G11C8/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von