Field effect transistor, semiconductor substrate, method for manufacturing field effect transistor, and method for producing semiconductor substrate

WO2011027577 Art A1 10. März 2011

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited, The University of Tokyo, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011027577
Aktenzeichen: EP10813528
Anmeldetag: 6. September 2010
Veröffentlichung: 10. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L29/778H01L29/78H01L29/786H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Sumitomo Chemical Company, Limited
The University of Tokyo
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

4.352 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

2.129 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von