Power Transistor Circuit

WO2011028360 Art A2 10. März 2011

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2011028360
Aktenzeichen: EP10814137
Anmeldetag: 5. August 2010
Veröffentlichung: 10. März 2011
Rechtsraum: WO
IPC: H02M1/32H03K17/08H02H7/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik

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